常压MOCVD制备MgO薄膜的研究 |
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引用本文: | 曾建明,王弘.常压MOCVD制备MgO薄膜的研究[J].功能材料,1996,27(4):342-346. |
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作者姓名: | 曾建明 王弘 |
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作者单位: | 山东大学晶体材料研究所 |
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摘 要: | 本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)在Si(100),SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上外延高质量的MgO薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和MgO薄膜的潮解特性。高纯magnesiumacetylacetonate[bis(2,4-pentanetane-diono)magnesium][Mg(CH2COCH2COCH3)2]作为金属有机源,扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和X-RAY衍射实验显示,在较低的衬底温度(~480℃)下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀,致密,结晶性和取向性很好,衬底温度(Ts)在400℃到680℃之间,在Si(100)衬底上生长的MgO薄膜都具有[100]取向,在Si(100)、SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上生长的MgO薄膜也都具有[100]取向。
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关 键 词: | 氧化铝 薄膜 铁电薄膜 |
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