| Ba铁氧体溅射薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 成正维,田卫东.Ba铁氧体溅射薄膜的研究[J].功能材料,1994,25(2):172-175. |
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| 作者姓名： | 成正维 田卫东 |
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| 作者单位： | 东北大学物理系 |
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| 摘 要： | 研究了射频溅射制备Ｂａ铁氧体薄膜的成膜条件对晶化、晶体结构及磁性能的影响。我们的工作表明，为了使射频溅射Ｂａ铁氧体薄膜形成磁铅石结构的晶体，基板温度需高于６００℃，更高的基板温度可获得好的Ｃ轴垂直取向。非晶膜经热处理晶化所需温度要比直接溅射温度高得多。过大、过小的氧气分压不利于垂直膜的生成。使用挡板对最小溅射角限制以后，可在小的基板－靶间距情况下定得Ｃ轴垂直取向的薄膜。
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| 关 键 词： | Ba铁氧体 薄膜 磁性 铁氧体 射频溅射 |
Study of Sputtered Ba-Ferrite Films |
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| Cheng Zhengwei,Tian Weidong,Hu Quanli,Yan Xueqin,Xian Yuze.Study of Sputtered Ba-Ferrite Films[J].Journal of Functional Materials,1994,25(2):172-175. |
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| Authors: | Cheng Zhengwei Tian Weidong Hu Quanli Yan Xueqin Xian Yuze |
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| Keywords: | Ba-ferrite film magnetic properties |
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