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| 微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为 | |
| 引用本文： | 张溪文,杨建松,李立本,阙端麟.微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为[J].半导体学报,1996,17(10):769-774. |
| 作者姓名： | 张溪文 杨建松 李立本 阙端麟 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主（ＴＤ）和新施主（ＴＮＤ）的氮关施主（ＮＲＤ）（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｒｅｌａｔｅｄｄｏｎｏｒ）．其形成于５００～９００℃，６００℃左右最为活跃．短时间热处理时，ＮＲＤ的形成与消除具有可回复性，并与氮—氮对的可逆变化──对应．随热处理时间的延长，可逆行为逐渐消失．硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态． |
| 关 键 词： | 掺杂 氮 硅单晶 |
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