| 非掺杂AlGaN/GaN HEMT微波功率器件 |
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| 引用本文： | 曾庆明,李献杰,周洲,王勇,王晓亮. 非掺杂AlGaN/GaN HEMT微波功率器件[J]. 半导体学报, 2005, 26(13): 151-154 |
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| 作者姓名： | 曾庆明 李献杰 周洲 王勇 王晓亮 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第13研究所，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第13研究所，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第13研究所，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第13研究所，石家庄 050051;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 摘 要： | ![]()
介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果. 制作了几种0.6μm栅长、100～1000μm不同栅宽的器件，对于栅宽分别为100, 300和500μm的器件，典型最大跨导为190～170mS/mm；截止频率比较相近，大约为24GHz；而最高振荡频率随栅宽增加而降低，分别为56, 46和40GHz. 测试了8GHz频率时，不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性：Vds=17V, Id=310mA, Pin=25.19dBm时，Po=30dBm (1W) ,Ga=4.81dB; Vds=18V, Id=290mA, Pin=27dBm时，Po=31.35dBm (1.37W) ,Ga=4.35dB.
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| 关 键 词： | GaN HEMT；微波功率器件 |
Investigation of Undoped AlGaN/GaN Microwave Power HEMT |
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| Zeng Qingming,Li Xianjie,Zhou Zhou,Wang Yong and Wang Xiaoliang. Investigation of Undoped AlGaN/GaN Microwave Power HEMT[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(13): 151-154 |
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| Authors: | Zeng Qingming Li Xianjie Zhou Zhou Wang Yong Wang Xiaoliang |
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| Affiliation: | 13th Institute of China Electronic Technology Corporation,Shijiazhuang 050051,China;13th Institute of China Electronic Technology Corporation,Shijiazhuang 050051,China;13th Institute of China Electronic Technology Corporation,Shijiazhuang 050051,China;13th Institute of China Electronic Technology Corporation,Shijiazhuang 050051,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | undoped GaN HEMT microwave power devices |
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