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| 2.1GHz CMOS低噪声放大器 | |
| 引用本文： | 铁宏安,李拂晓,李向阳,冯晓辉,姚祥,魏倩,张斌,翁长羽. 2.1GHz CMOS低噪声放大器[J]. 固体电子学研究与进展, 2008, 28(2): 212-214 |
| 作者姓名： | 铁宏安 李拂晓 李向阳 冯晓辉 姚祥 魏倩 张斌 翁长羽 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016;上海华虹NEC电子有限公司,上海,201206 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。 |
| 关 键 词： | 射频 互补-金属氧化物-半导体 低噪声放大器 噪声系数 |
A CMOS Low Noise Amplifier at 2.1 GHz |
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| TIE Hong'an,LI Fuxiao,LI Xiangyang,FENG Xiaohui,YAO Xiang,WEI Qian,ZHANG Bin,WENG Changyu. A CMOS Low Noise Amplifier at 2.1 GHz[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2008, 28(2): 212-214 | |
| Authors: | TIE Hong'an LI Fuxiao LI Xiangyang FENG Xiaohui YAO Xiang WEI Qian ZHANG Bin WENG Changyu |
| Affiliation: | TIE Hong'an1 LI Fuxiao1 LI Xiangyang2 FENG Xiaohui2YAO Xiang2 WEI Qian1 ZHANG Bin1 WENG Changyu1(1 Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)(2 Shanghai Hua Hong NEC Electronics Company,Limited,Shanghai,201206,CHN) |
| Abstract: | A 2.1 GHz RF CMOS LNA was designed and fabricated using 0.35 μm CMOS processes of Shanghai HuaHong-NEC Company.The LNA exhibits 18 dB power gain,1.1 input VSWR,1.5 output VSWR,2.7 dB noise figure,and 9 dBm P-1dBoutput power at 2.1 Ghz. |
| Keywords: | RF CMOS low noise amplifier noise figure |
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