多台面型栅结构AlGaN/GaN HEMT的开发

据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,北海道大学量子集成电子研究中心采用周期性台面结构的多台面型沟道(MMC,Multi Mesa Channel)技术开发了AlGaN/GaN HMET,与一般的平面型HEMT相比,获得了低Knee电压和浅阈值电压。提高了栅控制性,线宽50 nm的MMC HEMT在线性方面获得高的电流驱动能力,在饱和方面具有优异的电流稳定性。