| 5d过渡金属掺杂γ-TiAl合金的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 刘显坤,郑洲,刘聪,兰晓华,尹伟.5d过渡金属掺杂γ-TiAl合金的第一性原理研究[J].材料导报,2012,26(24). |
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| 作者姓名： | 刘显坤 郑洲 刘聪 兰晓华 尹伟 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 国防预研项目，中国工程物理研究院科学发展基金 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,系统地研究了5d过渡金属在γ-TiAl合金中的占位及占位方式,获得了过渡金属掺杂合金体系的形成能、几何结构、电子结构及电荷布居值等参数.结果表明:5d过渡金属元素Hf、Ta和W优先占据γ-TiAl合金中的Ti位；Os、Ir、Pt、Au等优先占据Al位；Re则既有占据Ti位的可能,也有占据Al位的可能,但占据Al位的趋势略大.通过对不同元素掺杂体系的能带结构、态密度和电荷布居值的计算和分析,进一步验证了不同过渡金属元素在TiAl合金中的占位规律,解释了5d过渡金属掺杂对TiAl合金体系结构和性能的影响.
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| 关 键 词： | TiAl金属间化合物 第一性原理 占位 电子结构 |
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