| InP/Si键合界面热应力分析 |
| |
| 引用本文： | 刘志强,王良臣,于丽娟,郭金霞,伊晓燕,马龙,王立彬,陈宇. InP/Si键合界面热应力分析[J]. 半导体光电, 2006, 27(4): 429-433 |
| |
| 作者姓名： | 刘志强 王良臣 于丽娟 郭金霞 伊晓燕 马龙 王立彬 陈宇 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成技术中心,北京,100083 |
| |
| 摘 要： | ![]()
从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层条状金属热应力模型讨论InP/Si键合过程中应力的大小及分布情况.结果表明, 由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,同时InP/Si键合合适的退火温度应该在250～300 ℃.最后在300 ℃退火条件下很好地实现了InP/Si键合,界面几乎没有气泡,有效键合面积超过90%.
|
| 关 键 词： | InP/Si 键合 热应力 退火温度 键合界面 热应力分析 Interface Thermal Analysis 键合面积 气泡 退火条件 退火温度 失败 大面积 中心区域 界面正应力 弯矩 晶片 剪切应力 结果 分布情况 大小 键合过程 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)04-0429-05 |
| 收稿时间： | 2005-10-18 |
| 修稿时间： | 2005-10-18 |
Theoretical Analysis on Thermal Stresse in Interface of InP/Si Bonded Wafers |
| |
| LIU Zhi-qiang,WANG Liang-chen,YU Li-juan,GUO Jin-xia,YI Xiao-yan,MA Long,WANG Li-bin,CHEN Yu. Theoretical Analysis on Thermal Stresse in Interface of InP/Si Bonded Wafers[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2006, 27(4): 429-433 |
| |
| Authors: | LIU Zhi-qiang WANG Liang-chen YU Li-juan GUO Jin-xia YI Xiao-yan MA Long WANG Li-bin CHEN Yu |
| |
| Affiliation: | Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 10083, CHN |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | InP/Si bonding thermal stress annealing temperature |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
