| 热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进 |
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| 引用本文： | 谭利文,王俊,王启元,郁元桓,刘忠立,邓惠芳,王建华,林兰英. 热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进[J]. 半导体学报, 2002, 23(11): 1178-1181. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.11.010 |
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| 作者姓名： | 谭利文 王俊 王启元 郁元桓 刘忠立 邓惠芳 王建华 林兰英 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;2. 中国科学院半导体研究所微电子研发中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000365; |
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| 摘 要： | 采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺以便改善γ-Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能.测试结果表明,通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷,改善外延层的晶体质量,同时可以提高MOS电容的抗击穿能力,降低漏电电流.
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| 关 键 词： | γ-Al2O3 SOI MOCVD 退火 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)11-1178-04 |
| 修稿时间： | 2002-01-29 |
Improvement of γ-Al2O3/Si Heterostructure Films by Thermal Annealing in Oxygen Ambient |
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| Tan Liwen ,Wang Jun ,Wang Qiyuan ,Yu Yuanhuan ,Liu Zhongli ,Deng Huifang ,Wang Jianhua and Lin Lanying. Improvement of γ-Al2O3/Si Heterostructure Films by Thermal Annealing in Oxygen Ambient[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1178-1181. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.11.010 |
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| Authors: | Tan Liwen Wang Jun Wang Qiyuan Yu Yuanhuan Liu Zhongli Deng Huifang Wang Jianhua Lin Lanying |
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| Affiliation: | Tan Liwen 1,Wang Jun 1,Wang Qiyuan 1,Yu Yuanhuan 1,Liu Zhongli 2,Deng Huifang 1,Wang Jianhua 1 and Lin Lanying 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al 2O 3 SOI MOCVD annealing |
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