| 蓝宝石衬底上AIGaN／GaN HEMT自热效应研究 |
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| 引用本文： | 杨燕 郝跃. 蓝宝石衬底上AIGaN／GaN HEMT自热效应研究[J]. 固体电子学研究与进展, 2005, 25(3): 290-293 |
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| 作者姓名： | 杨燕 郝跃 |
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| 作者单位： | [1]西安电子科技大学微电子所,西安710071 [2]宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究（973）项目和预先研究项目支持研究（批准号：41308060106） |
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| 摘 要： | 建立了包含“自热效应”的AIGaN／GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）直流I-V特性解析模型。从理论的角度分析了自热效应对AlGaN／GaN HEMT器件的影响，并同已有的实验结果进行了对比，符合较好。证明基于这种模型的理论分析适于AIGaN／GaN HEMT器件测试及应用的实际情况。
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| 关 键 词： | 氮镓铝／氮化镓 高电子迁移率晶体管 自热效应 |
| 文章编号： | 1000-3819（2005）03-290-04 |
| 收稿时间： | 2004-10-18 |
| 修稿时间： | 2004-12-20 |
Study of Self-heating on AIGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire Substrate |
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| Yang Yan;Hao Yue. Study of Self-heating on AIGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire Substrate[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2005, 25(3): 290-293 |
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| Authors: | Yang Yan Hao Yue |
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| Keywords: | AlGaN/GaN high electron mobility transistor self-heating |
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