| K/Ce离子共掺对Na_(0.5)Bi_(2.5)Ta_(2)O_(9)陶瓷的结构与电学性能影响EI北大核心CSCD |
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| 作者姓名： | 许经东江向平陈超黄枭坤聂鑫黄立伟 |
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| 作者单位： | 1.景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院333403; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51762024,51862016)；江西省自然科学基金(20192BAB206008,20192BAB212002)；江西省教育厅科技项目(GJJ190712,GJJ180718,GJJ180739)。 |
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| 摘 要： | 采用传统固相法制备(NaBi)_(0.5-x)(KCe)xBi2Ta_(2)O_(9)(NBTO-x,0≤x≤0.15)无铅压电陶瓷,研究K/Ce离子含量对NBTO陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物,且未发现其他明显杂峰;随着K/Ce离子含量的增加,样品的Curie温度T_(C)逐渐降低;K/Ce离子掺杂提高了样品的压电性能,压电常数d_(33)随掺杂量提高呈现出先升高后降低趋势,当x=0.075时,样品的综合性能达到最佳:d_(33)=19.0 pC/N,Curie温度T_(C)=735℃,介电损耗tanδ=0.137%,体积密度ρ=9.113 g·cm^(-3);NBTO(x=0.075)陶瓷在600℃退火2 h,其d_(33)仍高达17.8 pC/N,约为初始值(d_(33)=19.0 pC/N)的93.7%,表现出良好的温度稳定性.
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| 关 键 词： | 铋层状 高温压电陶瓷 电学性能 |
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