| 具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管 |
| |
| 引用本文： | 刘强,赵清太,蔡剑辉,何佳铸,王翼泽,张栋梁,刘畅,任伟,俞文杰,刘新科.具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管[J].红外与毫米波学报,2017,36(5):543-549. |
| |
| 作者姓名： | 刘强 赵清太 蔡剑辉 何佳铸 王翼泽 张栋梁 刘畅 任伟 俞文杰 刘新科 |
| |
| 作者单位： | 上海大学 物理系 量子与分子结构国际中心，材料基因研究院,德国于利希研究中心,上海大学理学院,深圳大学材料学院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海大学理学院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,深圳大学材料学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目）； 信息功能材料国家重点实验室开放项目 ；广东省公众福利建设基金；深圳科学技术发展基金 |
| |
| 摘 要： | 在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景.
|
| 关 键 词： | MoS2 背栅器件 SiO2栅氧 良好的亚阈值斜率 |
| 收稿时间： | 2017/4/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/5/18 0:00:00 |
86 mV/dec subthreshold swing of back-gated MoS2 FET on SiO2 |
| |
| LIU Qiang,ZHAO Qing-Tai,CAI Jian-Hui,HE Jia-Zhu,WANG Yi-Ze,ZHANG Dong-Liang,LIU Chang,REN Wei,YU Wen-Jie and LIU Xin-Ke.86 mV/dec subthreshold swing of back-gated MoS2 FET on SiO2[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2017,36(5):543-549. |
| |
| Authors: | LIU Qiang ZHAO Qing-Tai CAI Jian-Hui HE Jia-Zhu WANG Yi-Ze ZHANG Dong-Liang LIU Chang REN Wei YU Wen-Jie and LIU Xin-Ke |
| |
| Affiliation: | Department of Physics, International Center for Quantum and Molecular Structures, and Material Genome Institute, Shanghai University,Peter Grünberg Institute 9, JARA-FIT, Forschungszentrum Jülich,Department of Physics, Shanghai University,College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Department of Physics, International Center for Quantum and Molecular Structures, and Material Genome Institute, Shanghai University,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology and College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MoS2 back-gated device SiO2 dielectric excellent subthreshold swing |
|
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
|
