| NH3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响 |
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| 引用本文： | 李长荣,卢琳,杜振民,张维敬. NH3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响[J]. 稀有金属, 2002, 26(4): 241-244 |
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| 作者姓名： | 李长荣 卢琳 杜振民 张维敬 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家863计划(7150100032 )，国家自然科学基金资助项目 (5 0 0 710 0 8) |
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| 摘 要： | ![]()
研究了以三甲基镓 (TMGa)和氨 (NH3 )为气源物质 ,以氢气 (H2 )为载气进行GaN半导体的金属有机物气相外延 (MOVPE)生长时 ,NH3 分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响。热力学计算结果表明 :随着NH3分解率的提高 ,用于生长GaN外延层的气 固两相区逐渐向高Ⅴ /Ⅲ比方向变小 ,解释了实际生长过程中Ⅴ /Ⅲ比要求很高的原因。预计高的Ⅴ /Ⅲ比及低的NH3 分解率有助于GaN的MOVPE外延生长。
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| 关 键 词： | 热力学分析 氮化镓 MOVPE |
| 文章编号： | 0258-7076(2002)04-0241-04 |
| 修稿时间： | 2001-10-17 |
Effect of NH3 Pyrolysis Rate on Composition Region for MOVPE Growth of GaN Semiconductor |
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| Li Changrong,Lu Lin,Du Zhenmin and Zhang Weijing. Effect of NH3 Pyrolysis Rate on Composition Region for MOVPE Growth of GaN Semiconductor[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2002, 26(4): 241-244 |
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| Authors: | Li Changrong Lu Lin Du Zhenmin Zhang Weijing |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | Thermodynamic analysis GaN MOVPE |
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