首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制
引用本文:余艳青,王建业,韩冠军.MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制[J].电加工与模具,2005(2):59-63.
作者姓名:余艳青  王建业  韩冠军
作者单位:华南理工大学电子与信息学院,广东广州,510640;华南理工大学电子与信息学院,广东广州,510640;华南理工大学电子与信息学院,广东广州,510640
摘    要:气门模具的试生产表明,高频窄脉冲电解加工工艺是提高电解加工精度的有效技术途径。介绍了MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源的性能指标及样机研制方案,解决了矩形波畸变、反向电流影响、瞬时过压击穿、功率管过热烧损、快速短路保护等研制中的主要技术难题。

关 键 词:电解加工  高频窄脉冲电源  工程化  MOSFET
修稿时间:2004年11月16

Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining
Yu yanqing,Wang jianye,Han guanjun.Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining[J].Electromachining & Mould,2005(2):59-63.
Authors:Yu yanqing  Wang jianye  Han guanjun
Abstract:It has been proved by trial production of the mode of engine valve that high frequency short pulse electrochemical machining(HSPECM) is the available technical approach to enhance the accuracy of ECM. This paper introduced the specification of the power supply of HSPECM, also the basic diagram and the technical critical problem: the deformation of waveform, the tendency of reverse current, the break down of the transient overvoltage, the over heat damage of the power MOSFET, the rapid short circuit protection, etc.
Keywords:MOSFET
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号