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Si-B-Bi-O系钛酸锶陶瓷烧结及其介电性能的研究
引用本文:刘冠芳,周芳,李晓力,杜商安. Si-B-Bi-O系钛酸锶陶瓷烧结及其介电性能的研究[J]. 绝缘材料, 2008, 41(5)
作者姓名:刘冠芳  周芳  李晓力  杜商安
作者单位:西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049
摘    要:
研究了SiO2_B2O3_Bi2O3加入量、烧结温度对钛酸锶陶瓷电容器材料性能的影响。借助扫描电镜和宽频介电仪研究陶瓷的烧结过程及其介电性能。结果表明:SrTiO3和(Si,B,Bi)摩尔比为75∶25,(Si,B,Bi)摩尔比为15∶30∶55的样品在1 250℃烧成表现出良好的高频介电性能,介电常数为355,介质损耗角正切值低于5×10-4。

关 键 词:钛酸锶  Si-B-Bi-O  陶瓷  介电性能

Sintering and Dielectric Properties of Si-B-Bi-O Strontium Titanate Ceramic
LIU Guan-fang,ZHOU Fang,LI Xiao-li,DU Shang-an. Sintering and Dielectric Properties of Si-B-Bi-O Strontium Titanate Ceramic[J]. Insulating Materials, 2008, 41(5)
Authors:LIU Guan-fang  ZHOU Fang  LI Xiao-li  DU Shang-an
Abstract:
Keywords:Si-B-Bi-O
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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