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| 5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究 | |
| 作者姓名： | 王春瑞 罗起 |
| 作者单位： | 1.中国原子能科学研究院;2.北京有色金属研究总院;3.中国原子能科学研究院北京有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤,实验结果表明１０１１－１０１２ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照只产生单空位缺陷,而１０１３ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷;１０１８ｎ／ｃｍ２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷。产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大,但缺陷产生率对中子注量更灵敏 |
| 关 键 词： | GaAs 快中子 辐射损伤 缺陷 正电子湮没 |
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