| 硅基外延La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O异质结的制备 |
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| 引用本文： | 刘保亭,李锋,闫正,赵庆勋,张未涛,程春生,乔晓东,孙宏丽.硅基外延La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O异质结的制备[J].真空科学与技术学报,2006,26(2):81-83,122. |
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| 作者姓名： | 刘保亭 李锋 闫正 赵庆勋 张未涛 程春生 乔晓东 孙宏丽 |
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| 作者单位： | 1. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
2. 河北大学药学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;人事部留学回国人员科研启动基金;河北省自然科学基金;河北省科技攻关项目;河北大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 在外延SrTiO3（STO）作为缓冲层的Si基片上，应用溶胶-凝胶法（sol-gel）和磁控溅射法，在5．50℃温度下制备了外延的La0.5Sr0.5CdO3／Pb（Zr0．2Ti0．8）O3/La0．5Sr0．5CoO3（LSCO／PZT／LSCO）异质结。X射线衍射结果表明，LSCO／PZT／LSCO异质结是c向外延生长的。当外加电压为60V时，LSCO／PZT／LSCO铁电电容器的剩余极化强度为．50．3μC/cm^2.，当电压为30V时，铁电电容器有效极化强度为80μC/cm^2.。其它电学性能表明。PZT铁电电容器具有较高的电阻率和脉冲宽度对极化强度的影响较弱。
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶法 异质结 低温生长 |
| 文章编号： | 1672-7126（2006）02-081-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-24 |
| 修稿时间： | 2005-10-24 |
Fabrication of Epitaxial La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O Heterostructure on Si Wafer |
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| Liu Baoting,Li Feng,Yan Zheng,Zhao Qingxun,Zhang Weitao,Cheng Chunsheng,Qiao Xiaodong,Sun Hongli.Fabrication of Epitaxial La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O Heterostructure on Si Wafer[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(2):81-83,122. |
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| Authors: | Liu Baoting Li Feng Yan Zheng Zhao Qingxun Zhang Weitao Cheng Chunsheng Qiao Xiaodong Sun Hongli |
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| Keywords: | LSCO/PZT/LSCO |
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