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液相外延生长准三元InP缓冲层位错密度降低的研究
作者姓名:刘明大  李淑文  苏世昌  张喜田  高欣
作者单位:吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系 应届毕业生,应届毕业生
摘    要:本文报道了在InP衬底上,生长应变等电子掺杂的缓冲层位错密度的降低。

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