用于制作场效应晶体管的砷化镓的电解腐蚀及电子迁移率

本文介绍了n型砷化镓的电解腐蚀技术,此工艺用来制作场效应晶体管管芯片,可把较厚的并且不均匀的材料腐蚀成均匀的外延薄层。用这种方法制备的薄外延层样品的霍耳效应测量表明,对于减薄到2100埃厚的外延层,其迁移率与砷化镓材料体迁移率的理论值相同。对复盖有阳极氧化物的外延层进行霍耳效应测量表明,氧化层界面俘获的电荷密度是3.9×10~(11)电子/厘米~2,比外延层生长后的表面电荷密度值大。