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| 台面钝化工艺 | |
| 引用本文： | 立新功.台面钝化工艺[J].微纳电子技术,1971(11). |
| 作者姓名： | 立新功 |
| 摘 要： | 大多数半导体器件和单片集成电路系采用平面工艺制做。台式器件比平面器件有许多优点,且可获得平面工艺所不能得到的特殊性能。然而,台式技术产生无掩蔽的结,且无实用的钝化方法予以完全保护。一种新的工艺结合了台式和平面工艺,即氮化硅(Si_3N_4)掩蔽、热氧化、扩散后形成台面的工艺称为 SIMTOP。工艺过程基本如下:Si_3N_4薄层淀积到硅片上。利用光刻和适当的腐触剂腐触 Si_3N_4以形成所希望的几何形状。然后腐蚀硅以形成台面。如果硅材料是〈100〉 |
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