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| 新型低噪声电荷灵敏前置放大器设计 | |
| 作者姓名： | 熊思 高超嵩 黄光明 孙向明 |
| 作者单位： | 华中师范大学物理科学与技术学院夸克与轻子物理教育部重点实验室,武汉430079,华中师范大学物理科学与技术学院夸克与轻子物理教育部重点实验室,武汉430079,华中师范大学物理科学与技术学院夸克与轻子物理教育部重点实验室,武汉430079,华中师范大学物理科学与技术学院夸克与轻子物理教育部重点实验室,武汉430079 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 为满足Topmetal-S芯片研制需求,设计了一种低噪声电荷灵敏前置放大器。该电荷灵敏前置放大器在0.35 μm商业标准工艺上完成设计,采用单端折叠共源共栅结构,其等效输入电荷噪声约为56.47 e,电荷转换增益为223.40 mV/fC,上升时间为633.30 ns;开环增益为75.07 dB,线性度在3.70%以内的输入电荷范围为0～6.50 fC。 |
| 关 键 词： | 电荷灵敏前置放大器 低噪声 Topmetal-S 等效电荷噪声 |
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