| 绝缘膜负带电时的表面局部电场与二次电子返回特性 |
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| 作者姓名： | 冯仁剑 张海波 王顺勇 Katsumi URA |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子科学与技术系,西安交通大学电子科学与技术系,西安交通大学电子科学与技术系,大阪大学 西安710049,中国,西安710049,中国,西安710049,中国,大阪,日本 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | 为分析IC多层版图扫描电镜(SEM)对准检测所利用的负带电成像原理,采用Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式,对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了Monte Carlo模拟,得到负带电绝缘物表面的局部电位分布.在此基础上计算了二次电子从表面出射后在局部场作用下的运动轨迹,获得了SEM像的二次电子信号电流.结果表明,在弱负带电条件下,照射点处表面电位越低,返回表面的二次电子就越多,对应的二次电子信号电流越弱.此结果与SEM实验中图像亮度随照射时间的变化规律相符
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| 关 键 词： | 扫描电镜 图像衬度 绝缘膜 负带电 二次电子 Monte Carlo模拟 集成电路测试 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)01-0087-06 |
| 修稿时间： | 2003-01-19 |
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