| DLC薄膜处理的碳纳米管冷阴极场发射特性 |
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| 引用本文： | 秦靓,邓少芝,许宁生,陈军.DLC薄膜处理的碳纳米管冷阴极场发射特性[J].液晶与显示,2008,23(2):163-167. |
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| 作者姓名： | 秦靓 邓少芝 许宁生 陈军 |
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| 作者单位： | 1. 中山大学理工学院,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275
2. 中山大学理工学院,显示材料与技术广东省重点实验室,广东,广州,510275 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家广东省联合科学基金 |
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| 摘 要： | 碳纳米管(CNT)作为场发射冷阴极材料被应用于真空微纳电子器件.如何获得低电场发射和稳定发射,是碳纳米管冷阴极在器件中应用需要解决的问题.选择类金刚石(DLC)薄膜,利用磁过滤真空弧等离子技术产生DLC薄膜,对碳纳米管表面进行镀膜处理.场发射实验表明,经DLC薄膜处理后的碳纳米管冷阴极的场发射开启电场强度由3.3 MV/m下降至1.9 MV/m,相应的阈值电场强度也从6.5 MV/m下降至5.3 MV/m,并且在场发射性能提高的同时场发射的均匀性没有受到影响.DLC膜处理可以作为一种改善碳纳米管冷阴极场发射特性的技术.
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| 关 键 词： | 场发射 碳纳米管 碳纳米管冷阴极 DLC薄膜 镀膜处理 碳纳米管 冷阴极材料 发射特性 Treatment Film Deposition Cathode Cold Property Emission 改善 影响 均匀性 性能提高 阈值 电场强度 实验 表面 等离子 真空弧 |
| 文章编号： | 1007-2780(2008)02-0163-05 |
| 修稿时间： | 2007年9月5日 |
Field Emission Property of CNT Cold Cathode with DLC Film Deposition Treatment |
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| QIN Liang,DENG Shao-zhi,XU Ning-sheng,CHEN Jun.Field Emission Property of CNT Cold Cathode with DLC Film Deposition Treatment[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2008,23(2):163-167. |
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| Authors: | QIN Liang DENG Shao-zhi XU Ning-sheng CHEN Jun |
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