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| Al／n—GaAs肖特基接触正向脉冲退化对GaAsIC的影响 | |
| 引用本文： | 夏世伟,施健.Al／n—GaAs肖特基接触正向脉冲退化对GaAsIC的影响[J].上海微电子技术和应用,1995(2):1-4. |
| 作者姓名： | 夏世伟 施健 |
| 摘 要： | 本文描述了Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ肖特基接触的正向脉冲退化效应，探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时，势垒高度ΦＢ升高，直接影响Ａｌ栅ＭＥＳＦＥＴｓ的特性，导致Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ ＩＣ失效的机理。 |
| 关 键 词： | 肖特基接触 正向脉冲效应 铝 砷化镓 集成电路 |
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