| 碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析 |
| |
| 引用本文： | 王平,朱龙源,李向阳,龚海梅.碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析[J].红外与激光工程,2006,35(2):208-211. |
| |
| 作者姓名： | 王平 朱龙源 李向阳 龚海梅 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
| |
| 摘 要： | 碲镉汞（MCT）由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料.其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为必不可少的工艺步骤.根据碲、镉、汞3种元素在碱性溶液中的电极电势,计算得出阳极氧化的先后顺序为Cd＞Te＞Hg,并以其构建了一种氧化过程模型,模拟溶液中负电荷离子渗入材料和材料内部各种离子的位置及价态变化,推导出组成结构,与XPS化学组分分析结果十分吻合.在结构方面,该模型成功解释了缺Hg区、富Cd区和富Te区的存在及其位置,并通过俄歇电子能谱（AES）测试得到了验证,说明模型具有一定的合理性.
|
| 关 键 词： | 碲镉汞 电极电势 俄歇电子能谱 |
| 文章编号： | 1007-2276(2006)02-0208-04 |
| 收稿时间： | 2005-06-17 |
| 修稿时间： | 2005-08-20 |
Chemical structure of HgCdTe-anodic oxide |
| |
| WANG Ping,ZHU Long-yuan,LI Xiang-yang,GONG Hai-mei.Chemical structure of HgCdTe-anodic oxide[J].Infrared and Laser Engineering,2006,35(2):208-211. |
| |
| Authors: | WANG Ping ZHU Long-yuan LI Xiang-yang GONG Hai-mei |
| |
| Affiliation: | 1.State Kay Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences Shanghai 200083, China;2.Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | HgCdTe Electrode voltage AES |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
