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FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量
引用本文:韩春林,刘瑞喜,国伟华,于丽娟,黄永箴.FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量[J].半导体学报,2003,24(8):789-793.
作者姓名:韩春林  刘瑞喜  国伟华  于丽娟  黄永箴
作者单位:兰州大学物理科学与技术学院,兰州大学物理科学与技术学院,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 兰州730000,中国科学院半导体研究所,北京100083,兰州730000,北京100083,北京100083,北京100083
基金项目:国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )~~
摘    要:利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差.从放大的自发发射谱,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱.利用上述方法,测出的15 5 0nmInGaAsP量子阱脊型波导结构激光器的腔内损耗大约为2 4cm-1.

关 键 词:半导体激光器    测量技术    腔内损耗

Measurement of Cavity Loss and Quasi-Fermi-Level Separation for Fabry-Pérot Semiconductor Lasers
Han Chunlin,Liu Ruixi,Guo Weihua,Yu Lijuan,HUANG Yongzhen.Measurement of Cavity Loss and Quasi-Fermi-Level Separation for Fabry-Pérot Semiconductor Lasers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(8):789-793.
Authors:Han Chunlin  Liu Ruixi  Guo Weihua  Yu Lijuan  HUANG Yongzhen
Abstract:
Keywords:semiconductor lasers  measurement technique  cavity loss
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