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半导体器件中载流子迁移率的研究
作者姓名:张子砚
作者单位:贵阳学院物理与电子信息科学系
摘    要:分析了器件中载流子迁移率的基本理论及其受温度、掺杂浓度、栅极电压以及漏极电压的影响,并总结了测量器件中载流子迁移率的几种常用的方法。

关 键 词:载流子  迁移率  栅极电压  漏极电压
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