| 密度泛函理论计算在荧光材料研究中的应用 |
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| 作者姓名： | 高金宝 ZHOU Han 慕楠 刘宇坤 谢赐桉 杨晨光 梅乐夫 |
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| 作者单位： | 河北工业职业技术大学,石家庄16204,中国;Technical University of Denmark,Copenhagen 1599,Denmark;中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,矿物材料国家专业实验室,非金属矿物与固废资源材料化利用北京市重点实验室,地质碳储与资源低碳利用教育部工程研究中心,北京100083,中国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 密度泛函理论是一种基于量子力学原理的电子结构计算方法,已经成为材料科学和化学领域中重要的计算工具之一。在荧光材料研究中,密度泛函理论计算可以确定晶体结构,计算材料的的能带结构、态密度等信息来帮助研究人员理解荧光材料的本质和特性,为材料的设计和优化提供依据,同时基于密度泛函理论计算的高通量计算可以快速评估大量材料的性质,加快新材料的开发过程,降低研究成本。本文介绍了密度泛函理论计算在荧光材料研究中的应用,并探讨了其未来发展前景。
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 荧光材料 高通量计算 |
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