| 导模法生长β-Ga2O3晶体中的小角晶界 |
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| 引用本文： | 王佩,穆文祥,侯童,贾志泰,陶绪堂.导模法生长β-Ga2O3晶体中的小角晶界[J].硅酸盐学报,2023(6):1406-1411. |
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| 作者姓名： | 王佩 穆文祥 侯童 贾志泰 陶绪堂 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学,晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,晶体材料研究院;2. 山东省工业技术研究院 |
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| 基金项目： | 广东省重点领域研发计划(2020B010174002)；;国家自然科学基金(51932004,52002219)； |
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| 摘 要： | Ga2O3作为最具发展潜力的超宽禁带半导体材料，其晶体缺陷方面还缺乏深入且全面的研究。面缺陷小角晶界主要存在于β-Ga2O3 (100)晶面，会破坏晶体结构完整性，降低晶体质量。采用化学刻蚀法和透射电子显微镜技术对导模法生长β-Ga2O3晶体中的小角晶界进行宏观分析和微观结构表征。研究表明：小角晶界两侧的刻蚀坑形状和朝向相同，晶界两侧的晶粒取向差约为3°，除此之外，小角晶界会使摇摆曲线出现肩峰及展宽，通过对β-Ga2O3晶体中小角晶界缺陷的微观结构进行表征，填补了小角晶界缺陷的研究空白。
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| 关 键 词： | 导模法 β-氧化镓 小角晶界 摇摆曲线 |
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