真空蒸发沉积18烷基取代螺吡喃薄膜的光致变色及光电子谱研究 |
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引用本文: | 季振国,上田裕清,等.真空蒸发沉积18烷基取代螺吡喃薄膜的光致变色及光电子谱研究[J].真空科学与技术,2002,22(4):287-289. |
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作者姓名: | 季振国 上田裕清 |
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作者单位: | [1]硅材料国家重点实验室浙江大学材料与化工学院,杭州310027 [2]神户大学工学部神户市滩区六甲,日本 |
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摘 要: | 利用真空蒸发的方法在玻璃载片上沉积了18烷基取代螺吡喃薄膜,并利用光吸收谱和光电子谱研究薄膜的光致变色特性及变色前后分子结构的变化情况。实验结果发现,真空蒸发沉积的18烷基取代螺吡喃薄膜具有良好的光致变色性能,在紫外光的照射下可以发生明显的光致变色反映。光电子谱分析:经紫外线照射后,N1s、O1s光电子峰发生明显的变化 ,说明经紫外线照射后分子结构发生了变化,导致分子内部电荷的重新分布。另外紫外线照射后氧含量增加,这是因为紫外线照射后薄膜表面对水汽的吸附能力增加所致。
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关 键 词: | 真空蒸发沉积 18烷基取代螺吡喃薄膜 光致变色 光电子谱 光致变色材料 |
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