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金丝键合偏差对微波组件电性能的影响
作者姓名:
张阳阳
王梅
胡子翔
摘 要:
针对微波组件的关键误差源——金丝键合偏差进行研究,通过实验和仿真的方法,确定其对微波组件电性能的影响.结果表明,金丝的键合距离与拱高的增加都会导致传输损耗的增加,驻波比增大,S21减小.
关 键 词:
微波组件
金丝键合
电性能
有限元仿真
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