| MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究 |
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| 引用本文： | 廉鹏,邹德恕,高国,殷涛,陈昌华,徐遵图,陈建新,沈光地,曹青,马骁宇,陈良惠.MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究[J].半导体学报,2000,21(1). |
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| 作者姓名： | 廉鹏 邹德恕 高国 殷涛 陈昌华 徐遵图 陈建新 沈光地 曹青 马骁宇 陈良惠 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子工程系和北京市光电子技术实验室 北京 100022
2. 中国科学院半导体研究所 北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，北京市自然科学基金，北京市科委高科技研究项目 |
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| 摘 要： | 利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料，研究了CCl4流量、生长温度和V/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al03Ga0.7As外延层。在材料研究的基础上，我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/A1GaAs/InGaAs应变量子阱980nm大功率半导体激光器结构，并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。
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| 关 键 词： | GaAs/AlGaAs MOCVD 碳掺杂 |
Property of High Quality Carbon Doped GaAs/AlGaAs Materials Grown by MOCVD |
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