| GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析 |
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| 引用本文： | 汪贵华,杨伟毅,常本康.GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析[J].半导体学报,2000,21(7). |
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| 作者姓名： | 汪贵华 杨伟毅 常本康 |
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| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094 |
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| 摘 要： | 利用变角X射线光电子能谱(XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算GaAs(100)在600-675℃热退火处理后表面组分/深度的定量变化.在GaAs表面氧化物与衬底之间存在一过渡层,即弛豫层,该层在自然情况下为富As的结构,经600℃以上的温度退火后,成为富Ga的结构.实验和计算发现该层的厚度和Ga的相对含量随退火温度增加而增大,即弛豫层中的Ga含量由53.4%变为62.1%,弛豫层厚度由1.3nm变为2.2nm.
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| 关 键 词： | 砷化镓 X射线光电子能谱 层结构 热退火 |
Quantitative Investigation of Surface Layer Structure of GaAs(100) After Thermal Annealing by Angular Dependent XPS |
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| WANG Gui-hua,YANG Wei-yi,CHANG Ben-kang.Quantitative Investigation of Surface Layer Structure of GaAs(100) After Thermal Annealing by Angular Dependent XPS[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(7). |
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| Authors: | WANG Gui-hua YANG Wei-yi CHANG Ben-kang |
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| Keywords: | |
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