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| Pb用量对锆钛酸铅薄膜微观结构和铁电性能的影响 | |
| 引用本文： | 赵素玲,官建国,张联盟,王龙海.Pb用量对锆钛酸铅薄膜微观结构和铁电性能的影响[J].硅酸盐学报,2006,34(6):703-707. |
| 作者姓名： | 赵素玲 官建国 张联盟 王龙海 |
| 作者单位： | 1. 武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室;武汉理工大学材料研究与测试中心,武汉,430070 2. 武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室 3. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
| 基金项目： | 教育部优秀青年教师资助计划 , 教育部重点实验室基金 |
| 摘 要： | 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,通过多次匀胶旋涂-预热处理工艺制备了PbTiO3(PT)无机薄层夹心的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)薄膜,然后经650℃退火处理得到了所需的具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜.用X射线衍射、原子力显微镜表征了PZT铁电薄膜微观结构,并测试铁电性能.结果表明:制备PT层时的Pb用量对得到的PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响.当Pb过量15%(摩尔分数)左右时,得到的PZT铁电薄膜不仅晶界清晰,晶粒尺寸分布均匀,具有纯钙钛矿结构,而且铁电性能优异,剩余极化强度Pr=21μC/cm2,矫顽场Ec=37kV/cm. |
| 关 键 词： | 锆钛酸铅薄膜 铁电薄膜 微观结构 铁电性能 |
| 文章编号： | 0454-5648(2006)06-0703-05 |
| 收稿时间： | 09 20 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 12 30 2005 12:00AM |
EFFECT OF Pb CONTENT ON MICROSTRUCTURE AND FERROELECTRIC PROPERTY OF PZT THIN FILM |
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| ZHAO Suling,GUAN Jianguo,ZHANG Lianmeng,WANG Longhai.EFFECT OF Pb CONTENT ON MICROSTRUCTURE AND FERROELECTRIC PROPERTY OF PZT THIN FILM[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2006,34(6):703-707. | |
| Authors: | ZHAO Suling GUAN Jianguo ZHANG Lianmeng WANG Longhai |
| Affiliation: | 1. State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology; 2. Center for Material Research and Testing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070; 3. Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430073, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | lead zirconate fitanate thin film ferroelectric thin film microstructure forroelectric property |
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