| fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件 |
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| 作者姓名： | 郝跃 岳远征 冯倩 张进城 马晓华 倪金玉 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为 3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN MOS-HEMT 超薄Al2O3 AlGaN/GaN MOS-HEMT ultrathin Al2O3 超薄 绝缘栅 器件 Dielectric unity drain current gain cutoff frequency oscillation bias reach device maximum transconductance decreasing thickness gate dielectric oxide report high electron mobility |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）11-1674-05 |
| 修稿时间： | 2007-07-02 |
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