| MOS 场引晶体管双极理论和实验 |
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| 作者姓名： | 薩支唐 揭斌斌 |
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| 作者单位： | 中国科学院外籍院士,北京 100864; 佛罗里达大学,佛罗里达州,Gainesville FL32605,美国; 北京大学,北京 100871;北京大学,北京 100871 |
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| 基金项目： | CTSAH Associates(CTSA)资助项目~~ |
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| 摘 要： | 提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.
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| 关 键 词： | 单场引FET理论 双场引FET理论 MOSFET 同时存在空穴电子表面沟道和体积沟道 双栅 纯基FET理论 unipolar FET theory bipolar FET theory simultaneous hole and electron surface channels volume channel double-gate pure-base |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）10-1497-06 |
| 修稿时间： | 2007-09-04 |
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