深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 |
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引用本文: | 孙自敏,刘理天.深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析[J].微电子学,1998,28(2):93-98. |
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作者姓名: | 孙自敏 刘理天 |
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作者单位: | 清华大学微电子学研究所 |
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摘 要: | 利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。
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关 键 词: | 半导体器件 MOSFET 深亚微米器件 |
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