| X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究 |
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| 引用本文： | 牟维兵,徐曦.X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究[J].核电子学与探测技术,2008,28(2):302-304. |
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| 作者姓名： | 牟维兵 徐曦 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 中国工程物理研究院基金 |
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| 摘 要： | 为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数.
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| 关 键 词： | X射线 金/硅界面 剂量增强 |
Modeling for dose enhancement of Au/Si interface irradiated by X-ray at different directions |
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| MU Wei-bing,XU Xi.Modeling for dose enhancement of Au/Si interface irradiated by X-ray at different directions[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2008,28(2):302-304. |
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| Authors: | MU Wei-bing XU Xi |
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