| 小型压阻式压力敏感元件最优化设计和构成方法 |
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| 引用本文： | B.Kloeck,B.Stauffer,D.C.Scott,N.F.de Roojj,秦秋石.小型压阻式压力敏感元件最优化设计和构成方法[J].测控技术,1987(2). |
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| 作者姓名： | B.Kloeck B.Stauffer D.C.Scott N.F.de Roojj 秦秋石 |
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| 作者单位： | Institut de Microtechnique，University of Neuchatel，Wwitzerland，Institut de Microtechnique，University of Neuchatel，Wwitzerland，Institut de Microtechnique，University of Neuchatel，Wwitzerland，Institut de Microtechnique，University of Neuchatel，Wwitzerland |
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| 摘 要： | 使用计算机辅助设计方法,开发了一种小尺寸的硅集成压阻式压力敏感元件。组成惠斯登电桥的四个应变电阻被放置在方膜片的边缘。为了得到最大的灵敏度,这些电阻的位置和尺寸通过使用“敏感元件模拟程序”(SENSIM)被最优化了。借助于SUPREM 确定了敏感元件的构成参数。为了形成浅的电阻结构,使用较低的能量把硼注入到n 型硅膜片中。使用氢氧化钾(KOH)各向异性刻蚀液,刻蚀出了10μm 厚的膜片。为了获得精确的厚度控制,使用了一种新的电化学刻蚀停止技术。
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