| NEA GaN光电阴极的制备及其应用 |
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| 引用本文： | 乔建良,常本康,高有堂,田思.NEA GaN光电阴极的制备及其应用[J].红外技术,2007,29(9):524-527. |
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| 作者姓名： | 乔建良 常本康 高有堂 田思 |
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| 作者单位： | 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094;南阳理工学院电子与电气工程系,河南,南阳,473004
2. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破.基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极.本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材料的金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和卤化物汽相外延(HVPE)等主流生长技术的优缺点,介绍了两步生长、横向外延生长及悬空外延技术等新工艺.讨论了GaN光电阴极的性能特点、制备方法以及在紫外光电探测器和电子束平版印刷术领域的应用状况.
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| 关 键 词： | NEA GaN 生长技术 电子束平版印刷术 紫外光光电探测器 紫外光电阴极 应用状况 Photocathode Preparation 印刷术 电子束 紫外光电探测器 方法 性能 新工艺 悬空 横向外延生长 两步生长 HVPE 汽相外延 卤化物 分子束 MOCVD 化学汽相沉积 金属有机 |
| 文章编号： | 1001-8891（2007）09-0524-04 |
| 修稿时间： | 2007-03-18 |
Preparation of NEA GaN Photocathode and It's Application |
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| QIAO Jian-liang,CHANG Ben-kang,GAO You-tang,TIAN Si.Preparation of NEA GaN Photocathode and It''''s Application[J].Infrared Technology,2007,29(9):524-527. |
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| Authors: | QIAO Jian-liang CHANG Ben-kang GAO You-tang TIAN Si |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NEA GaN growth technology E-beam lithography ultraviolet detector |
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