首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

0.18 μm CMOS 10 Gbit/s分接器设计
引用本文:徐阳,冯军. 0.18 μm CMOS 10 Gbit/s分接器设计[J]. 电子工程师, 2004, 30(3): 5-6,9
作者姓名:徐阳  冯军
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏省南京市,210096
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:分析了分接器的电路原理及系统结构,通过比较,给出了最优的实现方案.使用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计出了速率为10 Gbit/s的分接器.简要介绍了单元电路的电路结构,给出了仿真结果和版图.芯片的电源供电电压为1.8 V,功耗为400mW.

关 键 词:分接器  光纤通信  同步数字系列  源极耦合FET逻辑(SCFL)
修稿时间:2003-09-18

Design of 10 Gbit/s Demultiplexer in 0.18 μm CMOS
Xu Yang,Feng Jun. Design of 10 Gbit/s Demultiplexer in 0.18 μm CMOS[J]. Electronic Engineer, 2004, 30(3): 5-6,9
Authors:Xu Yang  Feng Jun
Abstract:
Keywords:CMOS
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号