| Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性 |
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| 引用本文： | 谭春华,范广涵,李述体,周天明,黄琨,雷勇.Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性[J].量子电子学报,2005,22(3):436-439. |
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| 作者姓名： | 谭春华 范广涵 李述体 周天明 黄琨 雷勇 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631 |
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| 基金项目： | 广东省广州市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.
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| 关 键 词： | 光电子学 X射线双晶衍射 金属有机化学气相沉积 量子阱 光荧光 |
| 文章编号： | 1007-5461(2005)03-0436-04 |
| 收稿时间： | 2004/4/22 |
| 修稿时间： | 2004年4月22日 |
Optical characteristics of AlGaInP/GaInP multiple quantum wells with Si-doping |
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| TAN Chun-hua,FAN Guang-han,LI Shu-ti,ZHOU Tian-ming,HUANG Kun,LEI Yong.Optical characteristics of AlGaInP/GaInP multiple quantum wells with Si-doping[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2005,22(3):436-439. |
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| Authors: | TAN Chun-hua FAN Guang-han LI Shu-ti ZHOU Tian-ming HUANG Kun LEI Yong |
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| Abstract: | AlGaInP:Si/GaInP:Si and AlGaInP/GaInP multiple quantum well structures were grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition. The effect of Si-doping on the characteristics of AlGalnP/GalnP multiple quantum wells was studied by using double crystal X-ray diffraction and photoluminescence. The results show that the growth rate of MQW increases with Si-doping and the intensity from MQW with Si-doped was approximately one order pf magnitude stronger than that of undoped MQW. |
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| Keywords: | optodectrctronics double crystal X-ray diffraction metalorganic chemical vapor deposition quantum wells photoluminescence |
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