| 掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用 |
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| 作者姓名： | 尚勋忠 王文冲 郭丽伟 吴曙东 牛萍娟 黄绮 周均铭 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,北京,100080;中国科学院物理研究所,北京,100080;中国科学院物理研究所,北京,100080;中国科学院物理研究所,北京,100080;中国科学院物理研究所,北京,100080;中国科学院物理研究所,北京,100080;中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 研究了Al Ga As层掺1%的In对Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.2 5 K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能
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| 关 键 词： | 量子阱 高电子迁移率晶体管 界面粗糙度 光致发光 表面活化剂 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)09-1128-04 |
| 修稿时间： | 2003-08-18 |
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