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低电压低功耗宽带CMOS低噪声放大器的设计
引用本文:陈树维,王春华,曹小冬.低电压低功耗宽带CMOS低噪声放大器的设计[J].微电子学,2012,42(5):627-631.
作者姓名:陈树维  王春华  曹小冬
作者单位:湖南大学信息科学与工程学院,长沙,410082
基金项目:湖南省高校重点实验室开放基金资助项目,湖南省自然科学基金资助项目
摘    要:设计了一种应用于宽带(0.8~3.0GHz)接收机的低电压低功耗低噪声放大器。该放大器以折叠的共源共栅结构为基础,采用噪声抵消结构,通过两条并联的等增益支路来抵消匹配器件在输出端所产生的噪声,实现输入阻抗匹配和噪声优化。电路采用0.18μm CMOS工艺,利用Cadence软件进行设计和仿真。结果表明,该低噪声放大器在0.8~3.0GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于3.2dB,电压增益(S21)在17.6~18.5dB之间,S11小于-12dB,S22小于-20dB,在0.8V电源电压下,功耗为9.7mW,版图面积为0.18mm2。

关 键 词:宽带低噪声放大器  噪声消除  阻抗匹配

Design of a Wideband Low-Voltage and Low-Power CMOS LNA
CHEN Shuwei , WANG Chunhua , CAO Xiaodong.Design of a Wideband Low-Voltage and Low-Power CMOS LNA[J].Microelectronics,2012,42(5):627-631.
Authors:CHEN Shuwei  WANG Chunhua  CAO Xiaodong
Affiliation:(College of Information Science and Engineering,Hunan University,Changsha 410082,P.R.China)
Abstract:
Keywords:
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