| PZT含量对PZT/PVDF复合材料性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 蔡光强,罗文博,吴传贵,陈冲,钱东培. PZT含量对PZT/PVDF复合材料性能的影响[J]. 功能材料, 2012, 43(13): 1786-1788,1792 |
| |
| 作者姓名： | 蔡光强 罗文博 吴传贵 陈冲 钱东培 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 采用流延工艺,在ITO玻璃衬底上制备了不同质量分数的锆钛酸铅(PZT)/聚偏氟乙烯(PVDF)热释电复合材料。采用X射线衍射方法对复合材料极化前后的物相变化进行了对比分析,通过扫描电子显微镜分析了不同PZT质量分数复合材料的界面特征。从热释电探测器件的实际要求出发,利用介电阻抗测试仪、动态法热释电系数测试系统等仪器系统地测试了复合材料体系中PZT含量对材料热释电性能和介电性能的影响。结果显示,在PZT质量分数为50%时,制得了热释电系数p为4.1nC/(cm2.K)的性能优良的热释电复合材料。
|
| 关 键 词： | 0-3型复合材料 PZT/PVDF 热释电性 |
The effect of PZT content to the property of PZT/PVDF composites |
| |
| CAI Guang-qiang,LUO Wen-bo,WU Chuan-gui,CHEN Chong,QIAN Dong-pei. The effect of PZT content to the property of PZT/PVDF composites[J]. Journal of Functional Materials, 2012, 43(13): 1786-1788,1792 |
| |
| Authors: | CAI Guang-qiang LUO Wen-bo WU Chuan-gui CHEN Chong QIAN Dong-pei |
| |
| Affiliation: | (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | 0-3 composites material PZT/PVDF pyroelectric property |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
