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高真空拉制硅单晶
引用本文:苏怀祥.高真空拉制硅单晶[J].半导体技术,1982(1).
作者姓名:苏怀祥
摘    要:本文分析了在用直拉法拉制单晶时,热场性质随真空度不同而变化的规律。真空高到一定程度,即气体分子自由程小于炉膛尺寸时,使气体分子由导热状态转入“绝热”状态,致使热场纵向温度梯度明显减小。通过调整热场

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