局部背接触结构单晶Si太阳电池的研究 |
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作者姓名: | 励旭东 何少琪 |
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作者单位: | 北京市太阳能研究所,北京,100083;北京市太阳能研究所,北京,100083 |
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摘 要: | 报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果.模拟分析了局部背接触结构的作用,设计了合理的电池结构.通过工艺优化,得到了转换效率达到17.28%(大气质量AM=1.5 G,VOC=650.4mV,JSC=33.15 mA/cm2,FF=0.8014,电池面积为4 cm2)的太阳电池.
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关 键 词: | 激光刻槽埋栅太阳电池 局部背接触结构 |
文章编号: | 1005-0086(2007)02-0184-03 |
修稿时间: | 2006-03-28 |
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