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局部背接触结构单晶Si太阳电池的研究
作者姓名:励旭东  何少琪
作者单位:北京市太阳能研究所,北京,100083;北京市太阳能研究所,北京,100083
摘    要:报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果.模拟分析了局部背接触结构的作用,设计了合理的电池结构.通过工艺优化,得到了转换效率达到17.28%(大气质量AM=1.5 G,VOC=650.4mV,JSC=33.15 mA/cm2,FF=0.8014,电池面积为4 cm2)的太阳电池.

关 键 词:激光刻槽埋栅太阳电池  局部背接触结构
文章编号:1005-0086(2007)02-0184-03
修稿时间:2006-03-28
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