碲镉汞雪崩光电探测器的发展与展望

通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode, APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括 PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode, HDVIP)和吸收-倍增分离(Separated Absorption and Multiplication, SAM)型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同技术路线的器件优化思路和性能特点,对相关器件的持续发展进行了展望。目前SAM型器件是主流APD器件中暗电流抑制和高温工作性能最好的结构,能够实现高增益条件下的高灵敏度探测。这也为相关器件工艺的发展开辟了新方向。