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| 偏压方式对金刚石薄膜生长的影响研究 | |
| 引用本文： | 黄凯,王传新,徐远钊.偏压方式对金刚石薄膜生长的影响研究[J].真空与低温,2022(2):187-192. |
| 作者姓名： | 黄凯 王传新 徐远钊 |
| 摘 要： | 采用脉冲偏压和直流偏压辅助热丝化学气相沉积装置在硅片表面制备了金刚石薄膜,对比研究了两种方式施加的偏压大小对薄膜表面形貌以及质量的影响.利用扫描电子显微镜和拉曼光谱分别表征了薄膜的形貌和质量,采用等离子体光谱诊断分析了薄膜生长过程的气相化学反应.结果表明:两种偏压方式下偏压的大小对薄膜的形貌及品质均有较大影响.相比直流... |
| 关 键 词： | 热丝CVD 偏压 金刚石形貌变化 晶粒细化 |