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| 用于射频集成的高Q硅基电感的优化设计 | |
| 作者单位： | ;1.中国科学院微电子研究所;2.华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 摘 要： | 采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化后,硅上电感的Q值可以达到60以上,自谐振频率可以达到10 GHz以上,可以较好地应用于射频系统中的滤波选频及匹配等网络。 |
| 关 键 词： | 硅上电感 趋肤效应 射频系统集成 电磁仿真 |
Optimization design of high-Q silicon-based inductor applied to RF integration |
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| Keywords: | |